1. 2N3904RLRAG
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厂商型号

2N3904RLRAG 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 200mA 60V NPN

内部编号

277-2N3904RLRAG

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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2N3904RLRAG产品详细规格

规格书 2N3904RLRAG datasheet 规格书
2N3903, 04 Datasheet
2N3904RLRAG datasheet 规格书
文档 Multiple Devices 30/Sept/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Discontinuation 30/Sept/2011
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 10mA, 1V
功率 - 最大 625mW
频率转换 300MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.2
最小直流电流增益 40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V...
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 300(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 40
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 5mA, 50mA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 10mA, 1V
其他名称 2N3904RLRAGOSTR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.2 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 40 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率(最大) 300 MHz
功率耗散 0.625 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
元件数 1
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN
频率 300 MHz
直流电流增益 40
集电极电流(DC ) 0.2 A
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